游离辐射一词偶尔会在半导体相关书籍出现，现简要说明于下。众所皆知的，辐射是一种能量形式，存在于我们的日常生活中。原子是由带正电荷的原子核和带负电荷的电子所组成的。电子和原子核间靠着所谓的束缚能〈binding energy〉，使得电子不会脱离原子而成为自由电子。当电子由辐射所获得的能量只能让电子再原本的轨道上震动或是跑到能量较高的轨道时〈即激发〉，我们称此种辐射为非游离辐射〈non-ionizing radiation〉。 当电子游辐射所获得的能量大到能让电子摆脱原子核的束缚〈即辐射能量至少等于束缚能〉时，电子将可完全不受原子核的约束，成为自由电子。我们称这种辐射为游离辐射〈ionizing radiation〉。 由以上的说明可知，非游离辐射和游离辐射最大的差别，在于两者的能量不同。游离辐射的能量较非游离辐射来的高。以一般的分界而言，能量高于10keV者称为游离辐射，低于10keV者称为非游离辐射。 也由于游离辐射的存在，正负接面在反向偏压的情形下还能在空乏区中提供少数载子，形成所谓的反向漏电流〈reverse leakage current〉。
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